Ekstrakcja parametrów modelu Level 1
tranzystora MOS
- Na
podstawie modelu BSIM3v3 tranzystora MOS wyznaczyć parametry modelu Level
1 dla jednej z wymienionych technologii CMOS: AMIS 0,35um, TSMC 0,25um, 0,35um i 0,18um.
Przyporządkowanie osób do poszczególnych technologii znajduje się w pliku lista_aus.txt. UWAGA, rozmiary tranzystorów można zmieniać ze
skokiem λ, przy czym minimalny rozmiar tranzystora
wynosi W/L=3λ/2λ.
- Wyniki przedstawić w
sprawozdaniu w formacie doc, odt lub pdf. Sprawozdanie powinno zawierać
zestawienie wyznaczonych parametrów w tabeli oraz odpowiednie wykresy i
obliczenia.
Do sprawozdana należy dołączyć pliki wejściowe do SPICE (cir).
- Sprawozdanie w formacie pdf oraz spakowane zipem pliki układów do symulacji należy przesłać do serwisu eNauczanie.
Przesyłane pliki należy nazywać według szablonu: Imię_Nazwisko_numerindeksu_AUSLAB_rok_zad0.pdf(zip).
Pliki:
UWAGA!
Numer modelu BSIM zależy od rodzaju symulatora. W definicji modelu
tranzystora PMNOS i NMOS (poniżej) trzeba wpisać odpowiedni numer:
SPICE 3f5, LTSPICE, UTMOST Level=8; Star-HSPICE Level=49;
ORCAD/CADENCE PSpice Level=7
Modele
tranzystorów MOS dla technologii AMIS 0,35um
Modele
tranzystorów MOS dla technologii TSMC 0,25um
Modele
tranzystorów MOS dla technologii TSMC 0,18um
Modele
tranzystorów MOS dla technologii TSMC 0,35um
Przykładowy
plik do symulacji w LTSpice: przyklad_LTSpice